UVC LED的主要技术问题与发展方向

发布时间:2021-11-02 14:02 来源:萤光创新
受新冠推动,淘宝、京东上已经有很多紫外线消毒的各类型产品。如下图所示,业界通常将紫外线分为A、B、C三类,即近紫外线(UVA),远紫外线(UVB)和超短紫外线/深紫外线(UVC),其中UVC能受新冠推动,淘宝、京东上已经有很多紫外线消毒的各类型产品。
 
如下图所示,业界通常将紫外线分为A、B、C三类,即近紫外线(UVA),远紫外线(UVB)和超短紫外线/深紫外线(UVC),其中UVC能量最大,对微生物的破坏力极强。
相较于UVB和UVA,UVC是健康光源首选;相比化学杀菌消毒,UVC的优势是杀菌效率高,而且不产生其它化学污染物。
 
中国拥有完整的UVC半导体产业链,UVC半导体对芯片、封装技术和材料性能提出更高要求,芯片技术是目前深紫外半导体技术的主要瓶颈与核心竞争力,行业领先的大厂和紫外LED细分领域的龙头企业投资不断加码。

 
UVA与UVB相比,UVC是杀菌消毒应用首选
 
目前获取杀菌消毒紫外光源UVC的方式主要有两种:传统汞灯和紫外LED,与传统汞灯相比,UVC半导体具有明显的优势:小型化、无毒害、使用便捷。

另外,UVC半导体工艺改进方向明晰,技术难题不断突破。

在此背景下传统紫外汞灯消毒、杀菌产品将被UV LED加快取代。
图:UVC杀菌原理
 
和UVA与UVB相比,UVC的穿透力不强,不会对人体造成危害,但是杀菌效果几乎一样,所以UVC成为了杀菌消毒应用首选。
UVC LED与紫外汞灯对比

UVC半导体工艺技术的突破
 
深紫外半导体的工艺与普通LED的工艺大体相同,但由于UV-LED的发光材料不同,因此选取的发光材料和封装形式会有一定区别。

 UVC半导体芯片可分为衬底和外延层两部分:衬底通常沿用蓝光LED芯片所采用的蓝宝石衬底,外延层包括AIN模板层、N型AIGaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型GaN接触层。

 芯片工艺,通过光刻、刻蚀漏出N型接触层,通过蒸镀以及合金,N型、P型与电极形成欧姆接触,然后通过减薄、裂片,对小芯粒进行分选,倒装到绝缘的硅片上。

 经过10多年研究和发展,280nm以下的深紫外半导体外量子效率已超过5%,对应发光功率大于5mW,寿命达5000h。

功率的提升推动应用领域的发展,但相较于技术十分成熟的蓝光LED,UVC半导体存在三个主要问题:
l 芯片外延生长困难、
l 封装材料易老化、
l 光提取效率较低等

结合UVC半导体的使用特点与工艺流程,目前UVC半导体有四个努力方向:
l 改进UVC半导体外延工艺、
l 提升杀菌效率、
l 改善散热、
l 降低成本

青岛萤光创新科技有限公司,拥有专业的博士后团队,专注于紫外杀菌应用的研究,经过多年深耕紫外行业,公司获得多项国家发明和实用新型专利。目前多款杀菌模组类产品已经投入市场。更多详细内容可以浏览公司网站www.qdyingguang.com联系公司索取或者关注微信公众号。
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